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品名
LT-2型單晶少子壽命測試儀
價格
特點/規格

*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量,是半導體的常規測試項目之一。儀器靈敏度高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶,以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等;
* 測試單晶電阻率范圍:>2Ω.cm;
* 可測單晶少子壽命范圍:5μS-7000μS;
*.配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm;

 
品名
DSY-II型單晶少子壽命測試儀
價格
特點/規格

*.用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。   本儀器根據國際通用方法高頻光電導衰退法   的原理設計,由穩壓電源、高頻源、檢波放   大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品   臺共五部份組成;
*.測試單晶電阻率范圍:>10Ω.cm
*可測單晶少子壽命范圍:20μS-5000μS;

 
品名
LT-3型單晶少子壽命測試儀
價格
特點/規格

*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命;
*.測試單晶電阻率范圍: >0.3Ω.cm;
*.可測單晶少子壽命范圍: 1μS-10000μS;
*.配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm;
  余輝<1 μS;閃光頻率為:20-30次/秒;
*.前置放大器:放大倍數約25;
*.測量方式:采用對標準曲線讀數方式;

 
品名
WCT-100型硅單晶壽命測試儀
價格
特點/規格

*.測試單晶電阻率范圍: >0.03Ω.cm
*.可測單晶少子壽命范圍: 10nS-10mS;

— 以上儀器如實驗室教學使用有需要可免費附送測試樣品 —
   
   
 

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